退火炉是一种用于制造半导体器件的工艺，它包括对多个半导体晶片进行加热以影响它们的电性能。对不同的效果设计了热处理工艺。可通过加热晶片来激活掺杂剂，将薄膜转变为薄膜或将薄膜转变为晶片基体界面，从而形成致密的薄膜，改变生长薄膜的状态，修复注入的损伤，将掺杂剂从一层转移到另一层，或将掺杂剂从一层转移到薄膜或从薄膜进入晶片基体。退火炉可以被整合到其他的处理步骤中，比如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门设计用于加热半导体晶片的设备组成。退火炉为节能循环操作炉，结构超节能，采用纤维结构，节电60%。
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